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台积电Roadmap曝光：2030年量产1nm，可实现单个封装超过1万亿个晶体管！

12月28日消息，据外媒tomshardware报道，晶圆代工大厂台积电在IEDM大会上分享了其最新的Roadmap，计划在2023年推出1nm级的A10制程，并依托于先进封装技术，实现单个封装上实现集成1万亿个晶体管的目标。

11月17日消息，据日经新闻报道，目标在2027年量产2nm芯片的日本晶圆代工厂商——Rapidus近日又宣布携手东京大学和法国半导体研究机构Leti研发1nm等级芯片设计的基础技术。

12月17日消息，台积电1nm晶圆厂落脚地点台湾竹科龙潭园区三期扩建计划蓝图出炉，竹科管理局局长王永壮15日于竹科42周年园庆活动会后接受采访时透露，竹科龙潭园区三期扩建先导计划已报呈行政院，若一切顺利，目标2026年中即可供厂商展开建厂作业。

11月22日消息，据台湾媒体报道，中国台湾行政院副院长沈荣津今日表示，台积电1nm晶圆厂将落地桃园龙潭。

10月31日消息，据台湾媒体报道，业内传出消息称，晶圆代工龙头台积电1nm先进制程将落户桃园龙潭，对此台积电今天表示，设厂地点选择有诸多考量因素，会继续在台湾投资先进制程，不排除任何可能性，并持续评估在台适合半导体建厂用地。

近日，台大携手台积电、美国麻省理工学院（MIT），研究发现二维材料结合半金属铋（Bi）能达到极低的电阻，接近量子极限，有助于实现半导体1nm以下的艰巨挑战；且这项研究已于“自然”（Nature）杂志公开发表。

1月3日，据韩媒Business Korea报道，三星…

Intel、TSMC及三星三大半导体工厂今年将量…

昨天，沉寂已久的计算技术界迎来了一个大新闻。据外媒报道，美国劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有最精尖的晶体管制程缩减到了1nm。晶体管的制程大小一直是计算技术进步的硬指标。晶体管越小，同样体积的芯片上就能集成更多，这样一来处理器的性能和功耗都能会获得巨大进步。