业界 长江存储计划今年产能提高一倍,并试产192层3D NAND 1月12日消息,据日经亚洲评论援引未具名消息人士的话报道称,长江存储计划今年将产量提高一倍至10万片晶圆,同时长江存储还计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。2021年1月12日