7月28日,三菱电机宣布投资Novel Crystal Technology,该公司开发、制造和销售氧化镓(Ga 2 O 3 )晶圆,该晶圆作为下一代功率半导体晶圆而备受关注。
7月6日消息,据路透社报道,对于中国商务部宣布对镓、锗相关物项实施出口管制一事,美国商务部于当地时间7月5日进行了回应。
7月3日,商务部与海关总署发布公告,宣布对镓、锗相关物项实施出口管制。未经许可,不得出口。
当地时间8月12日,美国商务部工业和安全局(BIS)在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则,对具有GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)结构的集成电路所必需的EDA/ECAD软件、以金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料、包括压力增益燃烧(PGC)在内的四项技术实施了新的出口管制。
6月16日消息,据日本媒体报道,日前日本半导体企业Novel Crystal Technology全球首次成功量产了100mm(4英寸)的“氧化镓”晶圆。
目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高,它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面,会有非常广阔的发展前景。然而,SiC和GaN并不是终点,最近,氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野。