1月12日消息,据日经亚洲评论援引未具名消息人士的话报道称,长江存储计划今年将产量提高一倍至10万片晶圆,同时长江存储还计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。
9月30日消息,全球第二大NAND闪存芯片制造商东芝存储高管近期对外表示,中国内存厂商在二三年内赶上(Toshiba Memory)不容易,认为市场供应过剩的局面已经终结,此前的供应过剩已将利润率挤压至10年来的最低水平。
一度被调侃为“跑赢了房价”的存储芯片,如今突然迎来8年来最大跌幅,国际巨头对中国厂商“围剿”的争议也再次出现。近日,半导体产业市场调研品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)公布的最新的存储芯片行业调研报告显示,DRAM跌价幅度超过预期,创8年以来最大跌幅。