三星电子准备按下毁灭开关，存储器的超级周期将画上句点？据传三星为了防止中国厂染指 DRAM，打算大举扩产，未来全球 DRAM 产出可能一举暴增 20%。

韩媒 etnews 31 日报导，据了解，三星正在改装韩国华城（Hwasung）厂 16 号线，此一产线原本生产 2D NAND，明年第一季起将量产 DRAM。另外，三星的韩国平泽厂也在打造新 DRAM 产线，第一阶段产能估计明年第三季开出。

预计 2018 年三星在华城厂和平泽厂的 DRAM 产出将增加 6 万组，规模不算太大。问题在 2018 年下半之后，三星计划把华城 16 号线全数用于生产 DRAM，若闲置空间全数使用，DRAM 产能将增加 13.5 万组。不只如此，届时平泽厂 DRAM 投资也进入第二阶段，DRAM 产能将增 10 万组。两厂相加，等于开出 23.5 万组的新产能。

做为对照，今年第三季全球 DRAM 产能为每月 110 万组，要是三星真的增产 23.5 万组，全球 DRAM 供给将飙升 20%。内情人士透露，部分三星高层认为，要在中国跨入 DRAM 市场之前，先结束 DRAM 热潮。三星电子实质掌门权五铉明年初下台，掌管三星半导体业务的金奇南（Kim Ki-nam），是呼声极高的接班人，据悉金奇南支持大幅增产。

不只如此，SK 海力士也在无锡兴建新厂，预计 2018 年底完工，2019 年安装设备，产能为每月 12 万组。

值得注意的是，三星电子今日公布了第三季度财报。财报显示，受存储芯片涨价影响，三星电子今年第三季度营收达62万亿韩元，同比上升29.8%。营业利润达14.53万亿韩元（约合129.1亿美元），是去年同期的三倍。净利润达11.1万亿韩元（约合98.7亿美元）。

编辑：芯智讯-林子     稿源：MoneyDJ新闻