SK海力士全球首次向客户提供12层HBM4样品
2025年3月19日，存储芯片大厂SK海力士宣布，正式推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。
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三星、SK海力士，在华收入大涨
3月13日消息，受益于去年存储芯片市场需求回暖以及价格上涨，韩国三星电子和SK海力士这两家存储芯片大厂在去年都获利颇丰。特别是在中国市场，受国内的消费补贴刺激政策的推动，三星电子和SK海力士在中国的销售额也实现了大幅增长。
传SK海力士计划退出CMOS图像传感器业务
3月13日消息，据外媒TheElec报道，SK海力士正计划退出CMOS图像传感器（CIS） 业务，该公司将完全专注于 AI 内存产品。
台积电对美国追加1000亿美元投资，三星、SK海力士压力山大
据韩国《朝鲜日报》报导，为以顺应美国总统特朗普上任后持续推动“美国制造”的政策，台积电3月4日于宣布在美国投资增加至1650亿美元，新建3座晶圆厂及2座先进封装厂之后，对韩国芯片制造大厂三星电子、SK海力士等半导体企业带来了巨大压力，它们可能也将被迫追加在美国的投资。
2024年四季度全球DRAM产业营收环比增长9.9%
2月27日消息，据市场研究机构TrendForce 最新调查显示，2024年第四季全球DRAM产业营收突破280亿美元，环比增长9.9%。由于服务器DDR5合约价上涨，加上HBM集中出货，全球前三大DRAM厂商营收皆持续环比增长。平均销售单价方面，多数应用合约价皆反转下跌，仅美系CSP增加采购大容量服务器DDR5，成为支撑价格继续上涨的主因。
传SK海力士正在开发LPDDR5M内存，最大速度下能效提高了8%
2月26日消息，据韩国媒体Money Today报道，SK海力士在推出了世界上最快的LPDDR5T DRAM（速率达到9.6Gbps）之后，还在致力于开发更高效的LPDDR5M DRAM，这是一种在低于 LPDDR5X 的电压下运行的新标准，可以在最高速率的情况下，降低约8%的功耗。
传SK海力士、三星将停用中国EDA
2月17日消息，据韩国经济日报（hankyung）报道，存储芯片大厂SK海力士已开始紧急审查中国供应商提供的半导体电子设计自动化（EDA）工具，做为预防措施，以应对美国总统特朗普上任后可能祭出的新的制政策，比如限制韩国半导体公司使用中国EDA工具。
传三大DRAM厂商停产DDR3/DDR4，南亚科技及华邦电子股价大涨
2月17日消息，据日经新闻报导，随着DRAM价格的持续下跌，三星、SK 海力士和美光等DRAM大厂都将在2025年内停产DDR3和DDR4，一旦相关产品停产，市场预期中国台湾DRAM厂商将有望出现转单效益，且最快在今年夏季后扭转DRAM市场供过于求的困境，出现供不应求的状况。该消息刺激华邦电子、南亚科技17日股价分别大涨8.16%和6.35%。
SK海力士1000亿元扩建M15X晶圆厂，年底将正式投产HBM
2月17日消息，据韩国媒体newdaily报导指出，由于HBM需求旺盛，SK海力士将于3月向在韩国的M15X晶圆厂派遣工程师，为该晶圆厂投产高频宽內存（HBM）做准备。
2024年全球前十大半导体品牌厂商：三星第一，英伟达第七！
2月14日消息，市场调研机构Counterpoint指出，全球半导体市场（包含存储产业）预计2024全年营收将同比增长19%，达到6,210亿美元，显示半导体产业在经历2023年的低迷后强劲回升，主要受益于人工智能（AI）需求大增、存储芯片需求增长及价格回升所拉动，而除AI相关半导体之外的逻辑半导体市场仅呈现温和复苏。
2025年1月DRAM价格继续下跌，创近2年来最大跌幅
2月14日，据日经新闻报道，由于PC、智能手机等终端产品需求疲弱，加上中国买家扩大采用国产DRAM，导致全球DRAM需求放缓，今年1月DRAM价格环比下跌6%。
