投资38.7亿美元，SK海力士宣布在美国建先进封装厂
当地时间4月3日，存储芯片大厂SK海力士正式宣布，将投资38.7亿美元在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器的HBM（高带宽内存）的先进封装生产基地，预计将于2028年下半年开始量产。同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。
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三星、SK海力士下半年DRAM晶圆投片量将恢复到减产前
4月3日消息，据《朝鲜日报》引用市场研究机构Omdia的报告指出，包括三星电子、SK海力士等韩国DRAM大厂，在2024年下半年DRAM內存的晶圆投片量有望回归减产前水准，结束近一年的减产，达到DRAM业务正常化的目标。
为追赶SK海力士，三星今年HBM产能将增长近3倍！
3月28日消息，据《韩国经济日报》报导，三星执行副总裁兼DRAM产品与科技部长Hwang Sang-joong于当地时间 26日在美国加州圣何塞举行的“Memcon 2024”会议上宣布，今年三星HBM产能有望年增2.9倍，高于三星在CES 2024展会上所说的2.4倍。
SK海力士：今年HBM销售额将占DRAM销售额两位数百分比
3月28日消息，SK海力士公司首席执行官Kwak Noh-Jung日前在股东大会上表示，预计2024年HBM（高带宽内存）在整体DRAM销售额当中的比重将达两位数百分比，2025年HBM供应将依旧紧张。
传SK海力士将斥资40亿美元赴美建先进封装厂！官方回应：尚未决定！
3月27日消息，根据《华尔街日报》的报导，韩国存储芯片大厂SK海力士计划投资约40亿美元在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂，并计划于2028年投产。
斥资逾900亿美元，SK海力士将在韩国龙仁市兴建四座晶圆厂
3月25日消息，据外媒ComputerBase报道，存储芯片大厂SK海力士计划在韩国京畿道中部的龙仁市投资兴建一座庞大的半导体生产园区，其中将包括四座独立的晶圆厂，耗资至少120万亿韩元（约合907亿美元）。
黄仁勋：HBM 是一个技术奇迹！
3月20日消息，据日经亚洲报道，英伟达（NVIDIA）计划从三星采购高带宽内存（HBM）芯片，这是众多人工智能处理器的关键组件。
SK海力士展示Platinum P51 Gen5 SSD：238层3D TLC NAND，速度高达13.5GB/s
3月20日消息，据Anandtech报道，SK 海力士近日在英伟达 GTC 2024大会上正式推出旗下首款PCIe Gen5 SSD——Platinum P51 SSD 系列，基于238层3D TLC NAND，速度高达13.5 GB/s。
SK海力士重组中国业务，计划关闭上海公司并将重心转向无锡
3月18日消息，据韩国媒体报道，SK海力士正在重组其中国业务，计划关闭于2006年在中国上海成立的销售公司，将重点转移到其半导体制造工厂所在地无锡，作为其在中国的业务中心。
英伟达下大单，SK海力士去年四季度预订金大增70.46亿元
据韩国媒体TheElec近日报导，SK海力士最新的公告披露，2023年四季度SK海力士收到的客户预付款较上一季度大幅增长了1.3万亿韩元（约合70.46亿人民币），单季增幅创3年新高。据悉，这些预付款主要来自SK海力士的大客户英伟达（Nvidia）。
为提升HBM良率，传三星跟进SK海力士采用MUF技术
据路透社3月12日报道，三星计划采用SK海力士所采用的高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）制造技术，以期在竞争越来越激烈的HBM竞赛中追赶竞争对手。
