北京时间2022年7月15日——泛林集团 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. (NASDAQ: ENTG) 和三菱化学集团旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一项战略合作，将为全球半导体制造商提供可靠的前体化学品，用于下一代半导体生产所需的、泛林突破性的极紫外 (EUV)干膜光刻胶创新技术。三方将合作对未来几代逻辑和 DRAM 器件生产所使用的 EUV 干膜光刻胶技术进行研发，这将有助于从机器学习和人工智能到移动设备所有这些技术的实现。
近日，在比利时安特卫普举办的未来峰会上，IMEC(比利时微电子研究中心)发布报告，探讨了直至2036年左右的半导体工艺、技术路线图。
近日，比利时微电子研究中心（imec）于国际光学工程学会（SPIE）举行的先进光刻成形技术会议上，展示其High-NA（高数值孔径）光刻技术的重大进展，包含显影与蚀刻制程开发、新兴光刻胶与涂底材料测试、以及量测与光罩技术优化。imec与台积电、英特尔等国际大厂有密切合作，业界预期先进制程在2025年之后将进入埃米（angstorm）时代，High-NA技术将是量产关键。
3月22日消息，比利时微电子研究中心（imec）氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平台上，整合高性能肖特基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管（HEMT）的成功案例。该平台以P型氮化镓（GaN）HEMT制成，此次研发成功整合多个GaN元件，将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能，推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点（POL）转换器所需的开发动能，进一步缩小元件尺寸与提高运作效率。
在上月的ITF大会上，imec（比利时微电子研究中心）公布的蓝图显示，2025年后晶体管进入埃米尺度（Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米），其中2025对应A14（14Å=1.4纳米），2027年为A10（10Å=1nm）、2029年为A7（7Å＝0.7纳米）。
日前位于比利时的IMEC欧洲微电子中心CEO Luc Van den hove博士公布了芯片工艺的路线图，认为摩尔定律还会持续下去。
在2021年2月16日举办的国际固态电路会议（ISSCC）上，imec展示了首款IEEE 802.15.4z脉冲无线电超宽带（IR-UWB）发射器芯片，其能更好平衡在UWB室内定位的精确度和提高能效的需求。
imec首席执行官兼总裁Luc Van den hove做了主题演讲，概述了该公司的研究，该公司和ASML密切合作，共同开发了下一代高分辨率EUV光刻技术，即High NA EUV。他强调说，通过将光刻技术投入实际使用，摩尔定律将不会终止，并且该工艺将继续改进到1 nm或更小。
据麦姆斯咨询报道，在近日举行的IEEE RFIC研讨会上，欧洲领先的研究和创新中心imec展示了一款基于标准28nm CMOS工艺集成的60GHz毫米波运动检测雷达。这款超灵敏的毫米波雷达可以实现2cm的距离分辨率，并针对生命体征监测和手势识别进行了优化。其功耗更是低至62mW，使其可以集成到由电池供电的各种小型化设备中。
“这可能是目前世界上最先进的芯片之一了。”听到比利时微电子研究中心（IMEC）负责人的介绍，李克强接过递到他手中的一片黑胶唱片大小的芯片，摘下眼镜，近距离端详了许久，问了四五个问题。
2018年3月1日，纳米电子与数字技术研发创新中心 IMEC 与美国楷登电子( Cadence) 公司联合宣布，得益于双方的长期深入合作，业界首款 3nm 测试芯片成功流片。
