标签： 碳化硅

近日，英飞凌通过官网宣布，其在 200 毫米（8英寸）碳化硅 (SiC) 路线图上取得了重大进展，已于 2025 年第一季度向客户发布首批基于先进 200 毫米 SiC 技术的产品。这些产品在奥地利菲拉赫生产，为可再生能源、火车和电动汽车等高压应用提供一流的 SiC 功率技术。此外，英飞凌位于马来西亚居林的制造基地也将从 150 毫米（6英寸）晶圆向更大、更高效的 200 毫米直径晶圆的过渡正在全面推进。新建的 Module 3 即将根据市场需求开始大批量生产。

1月13日，杰平方半导体（上海）有限公司（…

近日，法国市场研究机构KnowMade最新发布的一份针对碳化硅（SiC）的知识产权 （IP） 报告，全面介绍了全球最近的碳化硅专利申请活动。在该报告中，KnowMade重点介绍了整个碳化硅供应链中最新的专利动态，并重点介绍了SiC行业内一些采用垂直整合模式（IDM）的主要公司的专利动态。

12月16日，格力电器董事长董明珠在《珍知酌见》栏目里与新浪财经CEO邓庆旭对话时宣布：“格力芯片成功了，从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成了。”“我觉得最高兴的就是我做这个芯片工厂，没有拿国家一分钱。”

当地时间12月13日，美国拜登政府宣布，美国商务部已经与博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，将根据《芯片与科学法案》向博世提供高达 2.25 亿美元的拟议直接补贴资金。这笔资金将支持博世投资 19 亿美元改造其位于加州罗斯维尔的制造工厂，用于生产碳化硅 (SiC) 功率半导体。并将在加州创造多达 1,000 个建筑工作岗位和多达 700 个制造、工程和研发工作岗位。

11月14日消息，国产碳化硅衬底大厂天岳先进通过微信公众号宣布，其于11月13日在2024德国慕尼黑半导体展览会（Semicon Europe 2024）上，发布了业界首款300mm（12英寸）碳化硅衬底产品，宣告正式迈入超大尺寸碳化硅衬底的新时代。这一创新产品的亮相，不仅刷新了行业标准，更在发布会当天吸引了众多行业客户的热烈讨论和广泛关注。