三星宣布将在2021年量产3nm GAA工艺：相比7nm面积减少45%，功耗降低50%！
当地时间5月14日，三星举行了2019年度的SSF晶圆代工论坛会议，三星在这次会议上公布了其第一款3nm工艺的产品设计套件（PDK） alpha 0.1版本，旨在帮助客户尽早开始设计工作，提高设计竞争力，同时缩短周转时间（TAT）。同时，三星还宣布将在2021年推出基于下一代环绕栅极 Gate-All-Around（GAA）技术的3nm GAA工艺，相比7nm，可实现芯片面积减少45%，功耗降低50%或性能提高35%。
