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三星展示全球首个3nm SRAM芯片:基于MBCFET技术,写入电压低至230mV

三星在去年年初就宣布他们攻克了3nm工艺的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,预计会在2022年正式推出这种工艺,目前关于此工艺的消息甚少。不过,近日外媒tomshardware报道称三星在近日的IEEE国际集成电路会议上,首次展示了采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片,并公布了3GAE工艺的一些细节。

晶圆代工产能供不应求,多家IC设计厂商抢订明年产能

自去年下半年以来,全球晶圆代工产能严重紧缺,由此也给IC设计厂商带来了巨大的挑战,不仅产品交付大幅推迟,成本也大幅提升。而从目前的形式来看,今年晶圆代工产能紧缺的问题仍难以缓解,为避免明年面临同样的困境,不少IC设计厂商已纷纷提前抢订产能。

原料缺货,传光阻稀释剂4月起将涨价50%!

3月12日消息,据韩国媒体The Elec昨日报导,韩厂东进世美肯(Dongjin Semichem)和ENF Technology 表示,4月起光阻稀释剂价格最多会调升50%。据悉三星和SK 海力士正在紧急推演光阻稀释剂此番涨价其半导体生产所带来的影响。

高通5G RFIC出货受阻,影响第二季智能手机生产量约5%

根据TrendForce集邦咨询最新调查,上月三星(Samsung)位于德州奥斯汀工厂受暴风雪影响,导致生产停滞,预估整座厂房产能利用率须至三月底才会恢复至90%以上。其中,该厂与智能手机高度相关的产品有高通(Qualcomm)5G RFIC、三星(Samsung) LSI OLED DDIC,三星LSI CIS Logic IC;以市场供应机制来看,又以前两项产品生产受阻最严重,预估第二季智能手机产量约有5%会受影响。