
HBF即将崛起,与HBM并行发展
9月11日消息,据韩国媒体Thelec报导,韩国科学技术院(KAIST)电机工程系教授 Kim Joung-ho(在韩国媒体中被誉为“HBM 之父”)表示,高带宽闪存(High Bandwidth Flash,HBF)有望成为下一代 AI 时代的重要存储技术,将与高带宽内存(HBM)并行发展,共同推动芯片大厂的业绩成长。


9月11日消息,据MarketWatch、Barron’s等外媒报道,网络芯片大…









英特尔公司今日宣布一系列领导层任命,以推进公司强化核心产品业务、构建可信赖的代工…