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NAND Flash晶圆11月价格暴涨25%

12月11日消息，在三星、SK海力士及美光等头部存储芯片的持续扩大减产的背景之下，11月NAND Flash wafer价格涨幅超过25%。由于原厂减产后供给减少，再加上原厂主动进行涨价，部分存储模块厂只能接受原厂涨价，特别是在“原厂还会继续涨价”的预期心理下，存储模组厂商持续抢货，将进一步推升了12月的价格涨幅。

罗姆携手东芝投资26.7亿美元扩大功率半导体产能，已获日本政府9亿美元补贴

12月11日消息，根据日本两大芯片制造商罗姆半导体（ROHM）和东芝电子设备与存储公司上周五发布的联合声明透露，双方在功率半导体制造和增加批量生产方面的合作计划已得到日本经济部的支持，双方将共计获得 1,294 亿日元（9.02 亿美元）的补贴，以支持其在日本国内的功率半导体的生产。

三大因素推动先进封装产能荒将提前结束

12月11日消息，近日业界传闻显示，三星将加入提供HBM3产能，使得先进封装所需高带宽内存供给增加，加上台积电通过更改设备与部分委外以拉高先进封装产能，以及部分云端服务供应商（CSP）变更设计与调整订单等三大因素带动下，先进封装产能瓶颈有望提前在明年一季度缓解，比业界预期提早一个季度至半年。

英伟达将新增英特尔为第三家晶圆代工合作伙伴

12月11日消息，据外媒报道，AI芯片大厂英伟达（NVIDIA）首席财务官柯蕾丝（Colette Kress）在参加瑞银全球科技大会（UBS Global Technology Conference）接受媒体采访时表示，英伟达不排除下单英特尔代工生产新一代芯片。这意味将会打破当下台积电独家代工英伟达AI芯片的情况。

尼康宣布推出全新ArF浸没式光刻机NSR-S636E，生产效率提升15%

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12月9日消息，根据日本光刻机大厂尼康（Nikon）官方消息，其将于2024年1月正式发布ArF浸没式光刻机NSR-S636E。尼康称，作为半导体生产过程中关键层的曝光系统，NSR-S636E具有尼康历史上更高的生产效率，并具有高水准的套刻精度和生产速度，可为尖端半导体器件中的 3D 等器件结构多样化的挑战提供解决方案。