三星宣布计划将FinFET制程导入NAND Flash

10月23日消息，三星电子在SEDEX 2025上宣布，计划将鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术应用于NAND Flash闪存生产上。这一举动被解读为三星为应对人工智能（AI）芯片对更大容量NAND Flash闪存的需求所做的准备。不过，这是一项技术属于未来技术，实际应用仍需时间。

三星电子DS部门技术长Song Jae-hyuk在SEDEX 2025主题演讲时表示，三星目前正致力于技术创新，目标是在晶体管必须堆叠的单位面积内，实现客户所期望的性能和功率。当中，FinFET技术正是这项创新战略的核心之一。FinFET是一种3D结构的制程技术，由于其结构类似鱼鳍（Fin），因此得名FinFET。其三星导入该技术的主要目的，就是为了克服传统平面（2D）结构的限制。

目前，FinFET主要应用于逻辑晶圆制造领域。这次三星宣布将FinFET应用于NAND Flash闪存的计划，是产业界的首次。而半导体界普遍认为，一旦FinFET应用于NAND Flash闪存，与现有的闪存相较，密集度（Integration density）将大幅提升。而且，在密集度越高的情况下，就能够在越小的空间内能容纳越多的元件，进一步显著提高性能。

三星指出，高密集度带来的优势涵盖多个方面，包括：信号传输速度更快、容量更高、功耗降低、芯片尺寸缩小，这也意味着NAND Flash在性能、能效、容量提升的同时，可以更有效地利用空间。

编辑：芯智讯-林子