纽约州批准美光输电计划，推进1000亿美元半导体投资布局

10月17日消息，据路透社报导，美国纽约州公共服务委员会（PSC）已批准由国家电网公司（National Grid）建设一条两英里、345千伏的地下输电线，连接克雷（Clay）变电站与美光预定于奥农达加郡（Onondaga County）设立的半导体超级晶圆厂（Mega Fab），这项输电工程是支撑美光1,000亿美元投资计划的关键一环。

美光的这笔长期投资将横跨约20年，涵盖晶圆厂建设、电力与再生能源基础设施、研发与教育合作，以及地方社区与人才培育等项目，目标是打造全美规模最大的存储制造与创新中心。整体计划预计建成约240万平方英尺的无尘室，创造上万个高薪之外，带动纽约中部每年超过百亿美元的经济产值。根据纽约州政府估计，到2040年该地区每年将为地方政府增加数十亿美元税收与公共投资。

纽约州州长Kathy Hochul表示，这项核准象征美光投资正式进入实质阶段，也是推动纽约中部成为全美半导体制造核心的里程碑。“这项计划将彻底改变纽约中部的经济格局，我们正以最快速度、最审慎态度全力推进。”

PSC 同时核准国家电网第一阶段的环境与施工计划，包括克雷变电站扩建与输电设备安装，并纳入生态保护及施工复原条款。PSC 主席Rory M. Christian 表示，此案已获共识通过，核准条件符合公共与环境安全标准。

美光全球营运执行副总裁Manish Bhatia 表示，这次批准让公司更接近在中纽约建设先进內存制造中心的目标。

Kathy Hochul上任以来，将半导体列为纽约经济发展的核心战略。她已为纽约创新与纳米技术研究中心（NY CREATES）争取5亿美元资金，总额达10亿美元，推动100亿美元High-NA EUV 中心计划，并与IBM、美光、应用材料及TEL等企业合作，打造北美首座公共的High NA EUV 研发基地。

目前纽约州拥有156家半导体与供应链企业，雇佣超过34,000名员工。随着美光、AMD、格罗方德等科技巨头也在此布局，“东岸矽谷2.0”正慢慢浮出水面。

编辑：芯智讯-林子