中芯国际将使用40nm工艺为Crossbar代工全新PRAM内存

目前，国内最大的晶圆代工厂当属中芯国际，除了处理器业务之外，他们现在又打算把触手伸向存储芯片行业。2014年9月，中芯国际成功的自主研发了采用38nm工艺的NAND闪存芯片。

日前，中芯国际与Crossbar公司成功签署了一项合作协议。协议的内容包括，中芯国际将使用40nm工艺为Crossbar代工PRAM阻变式存储器芯片，这项协议的签署代表中芯国际成功进军下一代内存产业。

PRAM阻变式存储器，亦可称之为相变内存，其使用硫化物玻璃进行制造，芯片的特点在于，硫化物玻璃受热后可以在晶体和非晶体之间进行形态变化，不同的状态下，其电阻亦不相同，利用这项特性，我们可以进行数据的存储。

与DRAM相比，PRAM不仅写入速度上快30倍，同时，寿命也要比DRAM高出10倍以上。而且PRAM最大的优点在于设备断电后依旧可以保存数据，这样来看，PRAM不仅仅可以代替内存，同时还可以取代闪存。

PRAM具有高性能和低功耗的优点，未来将可用于在物联网、可穿戴设备、平板电脑、工业市场等环境下。目前Intel和三星等行业领导者都在大力推进PRAM内存的发展。

稿源：快科技