因良率问题，三星第六代10nm级1c DRAM 延后半年

1月21日消息，据韩国媒体MoneyToday报导，DRAM大厂三星电子之前宣称其第六代10nm级1c DRAM制程2024年底开发完并量产，但良率没有提升，导致开发延后6个月到2025年6月才能完成，这也会使预定下半年量产的第六代高频宽內存（HBM4）一并延后。

报导引用市场人士说法，三星电子第六代10nm级1c DRAM制程遇到困难。尽管在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片，但因为无法达到预期的良率，因此将预定开发完成的时间延后6个月。而在这6个月中，三星预计将良率提升到约70%。根据过往业界的经验，每一代制程的开发周期通常落在18个月左右。但是，三星于2022年12月开发出第五代10奈米级1b DRAM制程，并于2023年5月宣布量产之后，就一直没有1c DRAM状况的消息。

如果第六代10nm级1c DRAM制程从开发完成到量产的时间约为正常的6个月时间，则三星实际量产的时间预计将在2025年底。而这样的时程，几乎也影响了三星当前正面临生死关头的HBM产品的发展。以1c DRAM制程为例，其核心产品是以DDR5內存为主，而HBM则是其衍生产品，开发时间会落后核心产品的时间。这代表着一旦核心产品延后到2025年底量产，HBM量产可能会在2025年之后进行。这相较于三星先前宣布将于2025年下半年将1c DRAM制程用于HBM4、并量产的情况有所改变，也影响三星HBM市场竞争力。

三星计划上半年全力投入六代10nm级1c DRAM制程，以尽快提高良率。由于竞争对手SK海力士选择稳定方法，第五代10nm级1b DRAM制程用于HBM4，但三星展现大跃进决心，以快速提高性能和能效。但要达成目标，最重要的就是尽快量产。韩国半导体产业人士指出，三星正在修改1c DRAM部分设计。

编辑：芯智讯-林子