台积电美国晶圆厂将于明年一季度量产4nm

12月30日消息，据台媒《自由财经》报道，台积电位于亚利桑那州凤凰城的晶圆厂第一阶段（P1 1A）厂区将于近期准备 4nm 制程投片量产，最快有望于 2025 年一季度末实现产出，初期月产能可达 1 万片晶圆，苹果、英伟达、AMD 和高通等美国厂商将有望成为首批客户。

报道称，台积电亚利桑那晶圆厂 P1 1A 目前已通过客户产品验证，有望于2025年中达到设计的每月 2 万片的满载产能；第二阶段 P1 A2 则也已完成建筑建设，目前正处于设备导入阶段，预计2025年一季度完成设备安装工作，2025 年中开始投片。

台积电美国亚利桑那州晶圆厂建设此前就曾由于缺乏熟练工人等问题，导致进度已经延后。其中，4nm制程的晶圆一厂量产时间从2024年推迟到2025年。原定于2026年开始量产3nm的晶圆二厂，也推迟到了2028年才会量产。两座晶圆厂完工后，合计将年产超过60万片晶圆，换算至终端产品市场价值预估超过400亿美元。至于后来宣布的第三座晶圆厂，预计将在21世纪20年代末（2029～2030年），采用2nm或更先进的制程技术进行芯片生产。

为了推动台积电在美国建设这三座晶圆厂，美国商务部还依据《芯片与科学法案》向其提供了66亿美元的补贴。不过，即便如此，台积电美国晶圆厂的生产成本也要远远高出中国台湾。

麦格理银行此前就曾发布报告指出，当台积电开始准备其亚利桑那州工厂生产 4nm 芯片时，它找不到合格的美国化学品供应商。因此，该公司不得不通过昂贵的流程从中国台湾运输化学品，这导致硫酸等化学品的运输成本高于化学品本身的成本。

台积电创始人张忠谋（Morris）早在2021年就曾表示，美国制造芯片的成本会高于中国台湾，甚至可能会高出60%，他还补充说，美国提供的“芯片法案”补贴只能提供短期的缓解，因为中国台湾将通过其成本和劳动力优势长期处于领先地位。

近日，韩联社也报道称，台积电亚利桑那州晶圆厂的芯片生产成本将比中国台湾高出30%，这主要是由于美国缺乏所需材料以及美国半导体供应链的薄弱。

相比之下，台积电在日本熊本的晶圆厂却进展神速，开工时间比台积电美国亚利桑那州晶圆厂更晚，但近日该晶圆厂已经正式开始量产。并且，得益于亚洲地区强大的半导体供应链，该晶圆厂的芯片生产成本也仅比比中国台湾仍高出 10%，当然这一事实也可能受到旧工艺技术的影响。

编辑：芯智讯-浪客剑