盛美上海前段半导体制造清洗设备Ultra C Tahoe取得重要性能突破

近日，国产半导体设备供应商宣布旗下清洗设备产品Ultra C  Tahoe取得重要性能突破。此次提升能够满足更先进的晶圆代工、逻辑器件及存储器件的严格技术要求。

据介绍，Ultra CTahoe的专利混合架构率先实现将槽式清洗模块和单片晶圆清洗腔体结合到同一SPM设备中。该架构具备更强的清洗性能、更高的产能和更好的工艺灵活性。在中低温硫酸(SPM)清洗工艺中，UltraCTahoe可以达到独立单片晶圆清洗设备的效果，并可减少高达75%的化学品消耗。据盛美上海估算，仅硫酸一项每年就可节省高达50万美元的成本，且在硫酸废液处理上可进一步降低成本并对环境更友好。

盛美上海董事长王晖博士表示：“随着人工智能不断走近消费者生活,我们预计公众会越来越关注半导体芯片制造对环境污染的影响。我们相信,盛美上海的UltraCTahoe能够帮助客户提高先进人工智能芯片的产量，同时减少对环境的影响。盛美上海拥有一支富有创造力的研发团队，UltraCTahoe再次见证了该团队的优异表现。我们相信，Tahoe平台完全有能力在约占整个清洗市场20%份额的SPM中低温应用领域占据重要地位。”

中国大陆多家大型晶圆厂客户已将升级后的UltraCTahoe投入生产。多家其他逻辑器件和存储器客户正在对该设备进行评估,预计更多设备将在2024年底之前交付。

升级版UltraCTahoe的新功能和优势:

更强的颗粒去除性能：Tahoe平台具备强大的清洗能力,在26纳米颗粒测试中实现了平均颗粒数小于6个的标准，可满足先进节点制造的严格要求。该设备未来会增加更精密的微粒过滤系统，能够去除1x纳米的微粒，可用于技术前沿的逻辑和内存应用。

更高的产能：升级后的25槽的槽式模块(之前为13槽)和9个单晶圆腔体(之前为8个腔体)每小时产能超过200片晶圆，可与12腔体SPM系统媲美。

更好的成本控制和环保水平：UltraCTahoe可将硫酸消耗量减少高达75%，从而降低大批量制造成本并满足越来越严格的环保法规以实现可持续发展的目标。

更广泛的工艺应用：已通过30+生产层认证，包括轻掺杂漏极(LDD)和源极/漏极(SD)等关键生产流程，更多层和应用正在开发中。

更灵活的单晶圆清洗应用：可选配置包括新型喷涂技术、盛美上海的专利SAPS/TEBO技术以及HOTIPA干燥技术，从而提高了该设备在多种工艺应用中的通用性。

编辑：芯智讯-林子