IGBT发明者获得100万欧元奖金

9月5日消息，美国北卡罗来纳州立大学的 Bantval Jayant Baliga 教授因发明绝缘栅双极型晶体管 （IGBT） 而获得 2024 年千禧年技术奖。该奖项奖金为 100 万欧元，由芬兰技术学院监督，于 2004 年首次颁发。

“被选中获得这一殊荣非常令人兴奋。我特别高兴千禧年技术奖将引起人们对我的创新的关注，因为 IGBT 是一种隐藏在社会视线之外的嵌入式技术。”本月早些时候被授予 Progress Energy 杰出大学名誉教授称号的 Bantval Jayant Baliga 教授说：“它使大量产品成为可能，这些产品改善了全球数十亿人的舒适度、便利性和健康，同时减少了二氧化碳排放以缓解全球变暖。让公众了解这项有影响力的创新将说明现代技术对人类的改善。”

自 1980 年代开发以来，IGBT 在高压可再生能源应用中发挥着关键作用，例如风能和太阳能，以及消费和工业用途的电动汽车和电动机。

芬兰技术学院董事会主席 Minna Palmroth 教授表示：“IGBT 已经并将继续对支持可持续发展、提高全球生活水平和减轻环境影响产生重大影响。应对全球变暖的主要解决方案是电气化和转向可再生能源。IGBT 是解决这些问题的关键使能技术。”

“我特别高兴的是，该奖项阐明了一项创新，它同时具有绝对的关键性，具有巨大的影响，但绝大多数人并不了解。我认为这是强调科学和创新力量的好方法。”

千禧年技术奖国际评选委员会主席 Päivi Törmä 教授说：“世界上三分之二的电力用于驱动消费和工业应用中的电机。Baliga 教授的创新使我们能够有效地发展用电社会，同时大幅降低能源消耗。”

“电力电子是任何现代社会的关键使能技术，其中过程和能源系统的自动化发挥着越来越重要的作用。在过去的 40 年里，直到今天，IGBT 仍然是最重要的功率半导体器件。

千禧年科技奖将于 10 月 30 日在芬兰举行的颁奖典礼上颁发给 Bantval Jayant Baliga 教授，同时也是该奖项设立 20 周年。千禧年技术奖将由其赞助人芬兰总统颁发。以前的获奖者包括帮助开发 COVID-19 疫苗的 DNA 测序、道德干细胞研究和多功能、负担得起的智能技术。

目前Bantval Jayant Baliga 和他的团队正在研究两项新发明，以进一步提高太阳能发电、电动汽车和 AI 服务器供电领域的效率。

“我最近的第一项发明是 Baliga 短路改进概念 （BaSIC），旨在消除工业和电动汽车应用电机驱动器中使用的碳化硅功率 MOSFET 短路承受时间差的障碍，”他说。

“我的第二项新发明是双向场效应晶体管 （BiDFET），它使矩阵转换器能够用于电力电子应用。与现有的电压源逆变器相比，矩阵转换器在尺寸、效率和可靠性方面提供了前所未有的改进。据电力电子专家称，这将对电力输送和管理产生革命性的影响。”

编辑：芯智讯-林子