东芝新12英寸功率半导体厂完工,MOSFET和IGBT产能提升2.5倍

东芝新12英寸功率半导体厂完工,MOSFET和IGBT产能提升2.5倍

日本东芝电子元件及存储装置株式会社(TOSHIBA)于5月23日正式宣布,旗下的12英寸功率半导体制造工厂和写字楼完工。

东芝在新闻稿中表示,该12英寸晶圆厂现阶段正在进行安装相关设备,力拼能在2024财年的下半年开始量产。一旦工程完工进入全面量产阶段,以MOSFET和IGBT为主的东芝功率半导体产能,预计将达到2021财年产能的2.5倍规模。至于该晶圆厂第二期工程建设和开始运营时程,则将根据市场情况再进一步进行决定。

东芝表示,该新晶圆厂具有吸收地震冲击的隔震结构和电源供应功能,将遵循东芝的业务连续性计划(BCP),并将为东芝的业务连续性计划做出重大贡献。而在整体工厂投入量产之后,通过可再生能源和建筑物屋顶太阳能电池板的能源,将可以让该设施能够通过可再生能源满足100%的电力要求。

编辑:芯智讯-林子

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