总投资120亿元,士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目开工

总投资120亿元,士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目开工

6月18日,功率半导体大厂士兰微旗下合资公司——厦门士兰集宏半导体有限公司(简称“士兰集宏”)的8英寸SiC(碳化硅)功率器件芯片制造生产线项目正式在厦门市海沧区开工。

根据士兰微今年5月21日晚间发布的公告显示,士兰微将与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司拟共同向子公司士兰集宏增资41.50亿元,并计划通过士兰集宏投资120亿元,建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线,总产能规模6万片/月。

项目将分两期建设:第一期项目总投资70 亿元,其中资本金 42.1 亿元,占比约 60%;银行贷款 27.9 亿元,占比约 40%。一期项目建成后,产能为3.5 万片/月;第二期项目投资 50 亿元,将在第一期的基础上实施(第二期项目资本结构暂定其中 30 亿元为资本金投资,其余为银行贷款。第二期建成后将新增 8 英寸 SiC 芯片 2.5 万片/月的生产能力。两期项目建成后的总产能合计为6 万片/月。

根据最新的消息显示,士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目一期预计在2025年三季度末实现初步通线,2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标。2026年-2028年持续进行产能爬坡,最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。

编辑:芯智讯-浪客剑

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