NAND Flash开始迈向300层

5月28日消息，根据市场研究机构的数据显示，今年一季度全球NAND Flash营收同比大幅增长30%，而这主要得益于NAND 的平均销售价格同比上涨了27%。随着各家NAND原厂的业绩恢复盈利，使得他们也开始加大了在NAND技术上的资本支出。

在NAND技术进展方面，在2022年下半年美光、长江存储宣布量产232层NAND之后，SK海力士和三星也分别量产了238层和236层的NAND。相比之下铠侠和西部数据的进展则慢一些，但也达到了218层NAND的量产。目前各家厂商都在积极的迈向300层NAND。

三星一直处于 3D NAND 领域创新的前沿。他们已将 V7 过渡到双层结构，并引入了 COP 集成以提高性能。随着 V8 236L 1 Tb TLC 产品的发布，三星展示了其突破技术界限的承诺。展望未来，三星已经计划在 V9 中采用与其他领先竞争对手类似的 280L COP V-NAND 和混合键合技术。

铠侠和西部数据在保留 BiCS 结构的同时，专注于提高层数。铠侠宣布推出具有 218 层的第八代 BiCS，并计划推出具有 284 层的后续版本，这表明该公司致力于推进 NAND 技术。

美光转向 CTF CuA 集成，凭借 176L 和 232L 产品的发布引领市场。他们还在开发 Gen7，可能会跳过 300 层节点，瞄准 400 层设备，展现出他们对未来创新的雄心。

SK海力士继续采用4D PUC结构，计划量产238L V8 4D PUC产品。随着321层V9样品的发布，SK海力士正在为进一步的发展做好准备，可能在不久的将来达到370层或380层的设备。

长江存储的Xtacking结构取得了重大进展，从176层直接跳到了232层。尽管面临芯片禁令的挑战，长江存储仍然专注于开发更先进的QLC器件和多Xtacking技术。

MXIC 凭借其第一代 3D NAND 芯片进入市场，以满足 Nintendo Switch 等产品的需求。MXIC 计划推出采用 96L 的第二代芯片，准备在该行业取得更大进步。

编辑：芯智讯-林子