三星10nm工艺加持！高通新一代旗舰处理器骁龙835公布

昨天，高通官方宣布，将使用三星的10nm FinFET打造自家的新一代旗舰处理器。而处理器的型号，正如此前外界所猜测的那样，高通并未采用骁龙830的命名，而是直接用了骁龙835。

高通宣布骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，骁龙835正是其后续产品。

高通表示，与上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。因此，通过10nm工艺加持，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，在一定程度上能够方便手机厂商节省机身内部空间，获得更合理的主板布局方式。

目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年量产出货。但遗憾的是，高通目前并没有公布骁龙835的具体规格。

此外，高通在宣布骁龙835之后，高通还正式公布了新一代快速充电技术骁龙QC 4.0。骁龙835将是首款支持QC 4.0的产品。

按照高通的说法，QC 4.0加入了Dual Charge技术，相比QC 3.0来说，充电速度可提升20%，效率则能提升30%。同时，QC 4.0还加入了对USB Type-C和USB-PD的支持。

高通产品管理高级副总裁Alex Katouzian表示，QC 4.0能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。

此外，QC 4.0还加入了最佳电压智能协商电源管理算法（INOV），将能够在既定的散热条件下，自主确定并选择最佳的电力传输水平，从而优化充电。

另一方面，QC 4.0能在更准确地测量电压、电流和温度的同时，保护电池、系统、线缆和连接器。防止电池过度充电，并在每个充电周期调节电流。

为了配合QC 4.0，高通还推出了最新的电源管理芯片SMB1380和SMB1381。SMB1380和SMB1381具有低阻抗、高达95%的峰值效率和先进的快充特性（例如电池差分感知），可经由任何5V USB Type-C或高压电源通过高度不到0.8毫米的充电解决方案组合，为超薄的移动终端提供最快的电池充电。SMB1380/1预计将于2016年底之前开始提供。

编辑：芯智讯-林子