
2月5日消息,据《日经新闻》报道,中国台湾晶圆代工大厂力积电(PSMC)传出将在今年上半年和日本新创企业Power Spin合作,目标是在2029年量产磁阻式随机存取內存(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory),将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。
报道称,Power Spin发源于日本东北大学,主要从事MRAM相关的半导体技术研发(东北大学长年来持续研究MRAM)。Power Spin将提供MRAM IP给力积电,力积电在推动研究、试产后,目标在2029年开始进行量产,期待可应用于生成式AI数据中心。
目前,力积电正携手日本网络金融巨头SBI Holdings计划在日本宫城县兴建晶圆厂,而该晶圆厂将分为两期工程,第1期工程目标2027年投产,以12寸硅晶圆换算的月产能为1万片,将生产40nm、55nm芯片;第2期工程目标2029年投产,除上述40nm、55nm产品之外,也将生产28nm及WoW(Wafer-on-Wafer)技术的芯片。届时两期工厂满载生产时,月产能将达4万片。而力积电预计将利用第2期工程产线,于2029年量产MRAM。
资料显示,MRAM的能耗只有目前內存(DRAM)的百分之一,且写入速度快,即便切断电源数据也不会丢失,不过在耐久性、可靠性等方面的问题仍需克服,此外还有制造成本较高的问题。而力积电则计划通过大规模量产来压低MRAM成本。
目前,美国半导体大厂Everspin Technologies已量产MARM产品,而Power Spin首席技术官远藤哲郎(东北大学教授)指出,2022年MRAM市场规模达300亿日元。
编辑:芯智讯-林子
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