传英特尔已采购了6套High-NA EUV光刻机

三星自研EUV光罩保护膜透光率已达90%-芯智讯

12月19日消息,据外媒sammobile的报道,韩国三星日前与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元(约7.55亿美元)的协议,两家公司将在韩国投资建造半导体芯片研究工厂,并将在该研究工厂开发新一代EUV半导体制造技术。三星电子副董事长兼设备解决方案部门负责人Kyung Kye-hyun强调,两家公司的最新协议将帮助其获得下一代High-NA EUV光刻机。

Kyung表示,三星已经获得High-NA EUV半导体曝光技术的优先权。而且,这次的协议也为三星创造了一个机会,可以长期优化High-NA光刻技术在DRAM和逻辑芯片在生产中的使用。

报道强调,三星与ASML的协议,是在韩国京畿道即将建成的芯片研究工厂中,两家公司的工程师将共同努力改进EUV制程技术的半导体生产。显然,三星与ASML的合作重点不只是将2nm芯片的制造设备引进韩国,而是它们可以更好的利用下一代光刻设备。

根据规划,英特尔将在2024年上半年量产Intel 20A制程,下半年将量产更先进的Intel 18A制程。台积电、三星都将在2025年量产2nm制程。而2nm制程量产的关键正是ASML最新的High-NA EUV光刻机。

最新的消息显示,ASML即将在2023年年底前发布首台商用High-NA EUV光刻机,其数值孔径NA将从0.33提高到0.55,这将使芯片制造商能够使用超精细图案化技术来制造2nm及以下更先进制程的芯片。ASML计划在2024年生产10台High-NA EUV,据说英特尔已采购了其中6台。未来几年,ASML计划将High-NA EUV光刻机的产能提高到每年20套。

编辑:芯智讯-浪客剑

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