2023年中国成熟制程产能全球占比约29%，2027年扩大至33%

10月19日消息，据市场研究机构TrendForce统计，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程（28nm以上）及先进制程（16nm以下）产能比重约维持7:3。中国大陆致力推动本土化生产、芯片国产化等政策与补贴，扩产进度也是以中国大陆最为积极，比如中芯国际（SMIC）、华虹集团（HuaHong Group）、合肥晶合集成（Nexchip）都在积极扩产。预计2027年全球成熟制程产能当中，中国大陆的占比将从今年29%增长至33%，；同期中国台湾成熟制程占比会从49%收敛至42%。

扩产聚焦Driver IC、CIS / ISP与Power Discrete等，二三线台厂首当其冲

驱动芯片（Driver IC）方面，主要采用HV（High Voltage）特殊制程，各家业者近期聚焦40 / 28nm HV制程开发，目前市场制程技术较领先是联电（UMC），其次格芯（GlobalFoundries）。不过中芯国际28HV、合肥晶合集成40HV将先后第四季至明年下半年进入量产，并与其他晶圆代工业者技术差距逐渐缩小，尤其制程能力与产能相当的竞争者力积电（PSMC），暂无12英寸厂的世界先进（Vanguard）、东部高科（DBHitek）短期首当其冲；对联电、格芯中长期也会造成影响。

CIS / ISP方面，3D CIS结构含逻辑层ISP与CIS感光层，主流制程大致以45 / 40nm为分水岭，逻辑层ISP制程持续往更先进节点发展；CIS感光层与FSI / BSI CIS则以65 / 55nm以上为主流。技术领先业者台积电（TSMC）、联电、三星（Samsung），但中国业者中芯国际、合肥晶合集成紧追其后，除了持续追赶制程差距，产能也受益于中国智能手机品牌OPPO、vivo、小米（Xiaomi）等出海口支撑，加上中国CIS芯片厂商豪威科技（OmniVision）、格科微（Galaxycore）与思特威（SmartSens）因应政府政策，陆续订单移回中国投产支撑。

功率元件（Power Discrete）方面，涵盖MOSFET与IGBT两种产品，世界先进、华虹宏力（HHGrace）深耕Power Discrete制程已久，平台及车规验证涵盖完整性皆较其他同业更高。受益于中国电动车补贴政策及铺设太阳能基础建设，中国晶圆代工业者获更多切入机会，如主流代工厂华虹宏力、中芯国际、合肥晶合集成、粤芯半导体（CanSemi）等业者，加上中国小型Power Discrete IDM、晶圆厂如积塔半导体（GTA）及华润微（CRMicro）等均加入Power Discrete竞争行列。若中国产能同时大量开出，将加剧全球Power Discrete代工竞争压力，影响性不仅限中国本土同业价格战，也可能分食台系业者的订单及客户。

整体而言，中国透过积极招揽海外及境内IC设计业者投产或研发新品，目的为提高本土化生产比例，但大幅扩产结果可能造成全球成熟制程产能过剩，且随之而来的就是价格战。TrendForce认为，中国成熟制程产能陆续开出，Driver IC、CIS / ISP与Power discrete等本土化生产趋势日渐明确，具相似制程平台及产能的二三线晶圆代工业者可能面临客户流失风险与价格压力，如联电（UMC）、力积电（PSMC）与世界先进（Vanguard）等，以特殊制程产品为大宗的台系业者首当其冲，技术进展和良率将是巩固产能的决胜点。

编辑：芯智讯-林子