Q2亏损近3万亿韩元！SK海力士宣布扩大NAND Flash减产！高端DRAM成增长亮点

7月26日消息，韩国存储芯片大厂 SK 海力士在其最新公布截止6月30日的2023年第二季度财报，受益于人工智能 (AI) 的市场需求，带动了存储芯片的复苏，使得第二季的亏损较上第一季减少。同时，为了加速NAND Flash库存去化，SK海力士还宣布扩大减产NAND Flash。

SK 海力士第二季度营收为 7.3059 万亿韩元，环比增长 44%，同比下滑 47%；营业亏损额达 2.8821 万亿韩元，环比增长 15%，同比由盈转亏；净亏损额达 2.9879 万亿韩元，环比下滑 16%，同比由盈转亏（去年同期为盈利4.3万亿韩元）。2023 财年第二季度营业亏损率为 39%，净亏损率为 41%。单季接近3万亿韩元的净亏损，超出了分析师预期的2.7万亿韩元净亏损。

SK 海力士表示，第二季度 DRAM 和 NAND 的销量都大幅增加，尤其是 DRAM 平均价格相比一季度有所提升，这对于营业收入增加产生了很大影响。

虽然随着 PC、智能手机等消费类电子市场需求依旧疲软，使得DDR4 等普通 DRAM 产品持续降价。但随着以 ChatGPT 为代表的生成式 AI 市场的持续扩大，带动面向人工智能服务器存储芯片的需求迅速增长，特别是高带宽内存HBM3 和 DDR5 DRAM 等高端内存产品销售增加，使得第二季度的DRAM平均售价高于第一季度，整体的DRAM营收也大幅增长，从而推动二季度营业收入相比第一季度增加了44%，营业亏损也进一步收窄了15%。

在产能规划方面，SK 海力士表示，2023 年上半年，由于全球经济景气不佳，导致了存储芯片市场需求下降，价格持续下跌。多数的制造商进行了减产，也让未售出产品的库存损失大幅提升。现阶段，在 NAND Flash 的库存去化速度相比DRAM更慢，因此SK 海力士决定扩大对于NAND Flash的减产幅度。

相比之下，SK 海力士将下半年的发力重点放到了更具增长潜力的高端DRAM和更高堆叠层数的NAND产品上。SK海力士计划在三季度扩大 HBM3、高性能 DDR5 和 LPDDR5 DRAM 等用于 AI 服务器的内存产品的销售，预计相比二季度增长10%-15%。同时，下半年还计划扩大基于 176 层 NAND Flash的 SSD产品的销售，并准备批量生产238层的NAND Flash，从而加速改善下半年业绩。

SK 海力士认为：“用于 AI 的服务器的内存芯片需求强势将在今年下半年得到延续，闪存芯片厂商的减产效果或将逐渐明显。”为此，SK海力士将提升第五代 10 纳米级（1b）DRAM 和 238 层 NAND 闪存的初期量产良率和质量，在即将到来的市况好转时快速提升量产比重。

SK 海力士财务担当副社长（CFO）金祐贤表示：“虽然全公司的投资规模同比减少 50% 以上的基调没有变化，但公司将利用通过经营效率化确保的资金，针对今后主导市场的高容量 DDR5、HBM3 DRAM，持续投资扩大生产能力。”

“存储器半导体市场以第一季度为低点，开始呈现恢复态势。公司将以高性能产品技术竞争力为基础，为快速改善业绩作出努力。”金祐贤补充说道。

值得注意的是，在快速增长的生成人工智能服务器所需的高带宽内存 (HBM) 领域，SK海力士一直是领头羊。市场调研机构 TrendForce 的数据也显示，2022年度，SK 海力士在 HBM 市场占有率高达50%， 其次是三星电子（40%）和美光科技（10%）。

编辑：芯智讯-浪客剑