台积电将于2024年取得ASML High-NA EUV光刻机，2025年量产2nm

9月12日消息，据台湾媒体报道，目前台积电先进制程进展顺利，3nm制程将于今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于2023年量产，2nm制程将会在预定的2025年量产。

目前，台积电2nm晶圆厂将座落于竹科宝山二期扩建计画用地中，竹科管理局已展开公共设施建设，目前台积电也已经开始整地作业。

资料显示，台积电2nm制程将采用GAAFET架构，相比台积电3nm，在相同功耗下速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，应用包含移动计算、高性能计算及完备的小芯片整合解决方案。

台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示，将在2024年取得ASML下世代极紫外光刻设备（High-NA EUV），为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则表示，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。具体的量产将会是在2025年。

编辑：芯智讯-林子