传Intel将授权紫光生产64层3D NAND闪存

据韩国媒体报道，为了满足PC、智能手机市场对NAND闪存的持续高需求，Intel正在与中国紫光集团谈判，授权其生产64层3D NAND闪存。

这种闪存技术来自Intel、美光合资的IMFlash，不过到明年初，双方将结束合作，各自独立优化自己的产品和服务，同时Intel会把所持股份几乎全部卖给美光，从中脱身。

Intel当前使用和供应的闪存都来自IMFlash，如果完全独立势必会大大影响产能和供应量，而当前闪存市场需求又持续高位，Intel迫切需要一个新的伙伴。

而紫光是中国半导体行业发展中大力扶持的关键对象。未来五年，中国将在半导体行业投入1万亿元人民币，目标是到2025年将自主产能提高到70％，紫光自然扮演着极为关键的角色。

目前，紫光已经投资300亿美元，在南京兴建自己的内存、闪存工厂，还与建兴联合在苏州兴建SSD开发制造工厂。

如此一来，紫光能得到Intel的垂青，也毫不意外。

目前还不清楚Intel、紫光授权的具体内容，是单纯的制造授权，还是更高级的技术授权。

如果是后者，紫光还能将Intel闪存用于自家产品，在自主闪存尚不完全成熟的情况下可以作为一个补充，但也希望自主闪存不要因此荒废了自己，毕竟这种教训实在太多了。

无论如何，这对紫光来说都是一次极好的发展机遇，可以与当今世界上最先进的闪存技术零距离接触，对增强自身技术实力有莫大好处。

韩国媒体也认为，这将是对三星、SK海力士、东芝的一次严峻挑战。

另外，IMFlash还在开发新一代96层堆叠3D闪存，并辅以10nm级别制造工艺，容量密度将比现在的64层提高一倍，未来也有望落户紫光。

稿源：快科技