2026年11月9日，英飞凌科技宣布，其已在其奥地利菲拉赫工厂成功将300毫米（12英寸）碳化硅晶圆加工为功能性功率器件。英飞凌是第一家在完整规模半导体工厂环境中开创这一创新里程碑的公司。该成果通过利用现有硅（Si）制造设备实现。
功能性功率器件的这一早期成果，体现了英飞凌致力于为客户提供高性能SiC功率半导体全面产品组合并确保长期供应的坚定承诺。300毫米晶圆的芯片生产在技术上比200毫米晶圆更先进、效率显著更高，因为更大的晶圆直径使每片晶圆可产出的芯片数量增加2.3倍。
“这一技术里程碑进一步巩固了我们在功率系统领域的领导地位。祝贺并感谢我们充满热情的团队，在将300毫米SiC从实验室推向制造环境方面取得了重大进展，”英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示。“功率半导体的领导地位意味着不断将技术推向新高度。凭借硅、氮化镓以及如今的碳化硅300毫米晶圆，我们处于扩大半导体制造规模和推动盈利性增长的领先地位。”
这一里程碑展示了300毫米晶圆上SiC未来全面工业化的潜力。英飞凌将与客户和合作伙伴密切协作，规划300毫米SiC技术及量产时间表，同时继续推进其200毫米SiC制造路线图。先进的SiC功率技术为英飞凌客户在汽车、可再生能源、工业和AI数据中心应用领域提供了具有成本效益且安全的供应基础。
SiC是高效功率转换的关键半导体材料。其材料特性可实现更低的功率损耗、更高的功率密度，并在高电压和高温下高效运行，例如应用于牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电桩、大规模储能和工业驱动以及不间断电源。AI数据中心对SiC的需求也在上升，其在固态变压器、断路器和电源单元中扮演新角色。英飞凌通过广泛的CoolSiC™产品组合满足这些应用需求。
与此同时，英飞凌还在其德国德累斯顿工厂成功验证了Cold Split技术对300毫米SiC的可行性。Cold Split技术以更少的材料损耗和比传统线锯大幅缩短的加工时间从SiC晶锭上分离晶圆，因此与更低的资本支出相比，可从同一晶体中获得更多晶圆。这两项进展使英飞凌能够根据市场需求扩大SiC技术规模，并满足客户不断变化的需求。
英飞凌基于所有三种相关材料制造半导体：硅、碳化硅和氮化镓。2026年10月27日，该公司宣布在菲拉赫投资约11亿欧元建设一座300毫米晶圆氮化镓功率半导体大规模制造工厂。这一SiC成果将这一路径扩展至第二种宽禁带材料，并巩固了英飞凌作为半导体制造创新领导者的地位。
编辑：芯智讯-林子
