英特尔EMIB-T细节公布：芯片可直接嵌入硅网桥，成本大降

5月28日消息，英特尔（Intel）旗下的晶圆代工（Foundry）业务近日正式公开其最新一代的嵌入式多芯片互连桥接（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge，简称EMIB）先进封装技术EMIB-T的更多细节。英特尔表示，这项技术专为满足新型人工智能（AI）处理器与数据中心庞大的电力与数据传输需求而生，通过优化小芯片（Chiplet）构架，取代了过去制造超大型单片晶圆的做法。

在去年4月的英特尔代工大会上，英特尔发布了最新的2.5D先进封装技术，其中就包括了面向未来高带宽内存需求的EMIB-T先进封装技术，这也是首个使用 TSV 通过桥接器发送信号（而非绕过桥接器）的 EMIB 实现，主要面向Die to HBM4互联。

今年5月初，业内消息显示，英特尔正在开发的EMIB-T封装技术，将被联发科为谷歌开发的代号为“Humufish”的2027年下半年即将推出新款TPU项目采用，技术验证良率已达到90%。

英特尔最新指出，过去多芯片封装通常依赖覆盖整个处理器芯片底部的大型且昂贵的硅中介层（Silicon Interposer）做为底层连接。而EMIB-T技术舍弃了庞大的硅内存块，改为将微型的高速硅网桥嵌入至特定位置，让需要传送信号的相邻芯片得以连接。此外，英特尔位于新墨西哥州的Fab 9处理器晶圆厂工程师，已成功将芯片直接嵌入硅网桥上，使相邻的数据中心芯片能直接跨桥进行通信。这不仅大幅降低了材料成本，还带来了更快的电气反应速度，进而缩短了芯片间高速通信的周期时间。

英特尔强调，EMIB-T带来的最核心创新，在于其布线信道如今可以直接“穿透”硅网桥。在过往的世代中，电力必须绕过连接桥，这不仅会产生电阻，也会拖慢信号传输速度。如今透过直接穿透网桥进入硅元件，大幅减少了电力的浪费，并实现了最快的信号传递。这项升级对于现代高带宽内存（HBM）而言至关重要，因为它需要持续不断的供电，以及极高循环速度的信号来达成更快速的响应。

另外，这项全新突破是英特尔晶圆代工整合异质小芯片的关键技术，使其能将不同来源的小芯片封装到业界已知最大规模的芯片上。相较于传统全尺寸的硅中介层，EMIB-T不仅能提高生产良率并降低成本，更让打造用于数据中心的超大型并排AI处理器成为可能。

编辑：芯智讯-林子