2027年底全球DRAM供需仍有40%缺口

4月20日，根据《日经亚洲》（Nikkei Asia）报导，即使存储制造商加紧提升DRAM产能，但预计到2027年底，只能满足全球60%需求，即仍存在40%的缺口。SK集团董事长的说法甚至更悲观，认为这波短缺可能持续到2030年。

目前全球主要DRAM制造商三星、SK海力士及美光都砸钱盖新厂，努力增加产能，但几乎新建产能最快都要到2027年才能上线，有些产能甚至需要等到2028年才会开出。放眼2026年，除了SK海力士2月于韩国清州一座新厂投入量产外，三家制造商几乎没有更多产线贡献产能。

《日经亚洲》指出，这些新厂主要着重在生产高频宽内存（HBM），用于AI数据中心。由于各家制造商已将HBM优先级摆在手机与电脑所使用的通用型DRAM之上，因此还不清楚这些新厂如何缓解消费性电子产品所面临的成本压力。如今从手机、笔电、游戏掌机再到VR头戴式装置，各类产品都因内存短缺而出现价格上涨。

根据预测，在人工智能（AI）相关需求的持续增长之下，为了满足市场对于DRAM的需求，2026年与2027年的DRAM产能每年必须增长12%。但Counterpoint Research数据显示，目前规划中的增长幅度仅7.5%。

此外，目前中东地区的持续动荡，也导致了能源与原材料供应受限和成本上升。比如，韩国存储大厂三星电子和SK海力士就对中东地区的天然气和氦气较为依赖。这也或将影响新增DRAM产能的开出以及推升DRAM制造成本。

编辑：芯智讯-浪客剑