SST第四代SuperFlash平台基于联电28HPC+制程投产

当地时间1月15日，微芯科技（Microchip）旗下子公司 Silicon Storage Technology （SST，冠捷半导体）和晶圆代工厂联华电子（UMC）宣布，他们已完成 SST 嵌入式 SuperFlash® Gen 4 (ESF4) 的全面认证，并已在联电的 28HPC+ 代工工艺平台上投入生产，该产品具备完整的汽车级 1 级 (AG1) 性能。

SST 与联电紧密合作开发了 ESF4，旨在为汽车控制器提供增强的嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 性能和可靠性，同时显著减少与其他代工厂的 28nm 高 k/金属栅堆叠 (HKMG) eFlash 产品相比所需的额外掩膜步骤，从而为客户带来成本优势和更高的制造效率。

目前使用代工厂 40nm ESF3 AG1 平台制造汽车控制器产品的客户，在寻求扩展到下一个工艺节点时，我们鼓励他们探索 UMC 28nm ESF4 AG1 平台。

Microchip 授权业务部门副总裁Mark Reiten 表示：“随着汽车行业需求的不断增长，开发人员需要能够提高效率、加快产品上市速度并满足严格行业标准的解决方案。为了满足这些需求，联电和 SST 联合推出了一款强大的 28nm AG1 解决方案，该方案现已准备好用于客户设计的生产。联电 一直是 SST 和 SuperFlash 创新的重要合作伙伴，两家公司将继续携手应对快速变化的市场需求，并提供技术和经济上都领先的产品。”

联电技术开发副总裁许志强表示：“随着汽车行业快速向互联、自动驾驶和共享汽车方向发展，对高可靠性数据存储和大容量数据更新的需求持续增长。这推动了客户对SuperFlash扩展至28nm工艺的需求。通过与SST的紧密合作，我们成功推出了ESF4解决方案，该方案已完全集成到广泛应用的28HPC+平台中。这使得我们的客户能够利用我们产品组合中丰富的模型和IP来满足关键市场的需求，同时扩展到更先进的工艺节点。”

联电28HPC+ ESF4 AG1 平台的 SuperFlash 关键性能和可靠性指标包括：

汽车电子委员会 (AEC) Q-100 1 级认证适用于 -40°C 至 +150°C (T j )的温度范围
读取访问时间 < 12.5ns
10万+耐力循环
数据在 125°C 下可保存 10 年以上
仅需 1 位 ECC
32Mb宏在自动等级1条件下的资格认证：
零比特错误（未应用纠错码）
峰值产量达到100%

随着交通运输行业对创新解决方案的需求日益增长，汽车控制器出货量持续快速增长。在控制器内部嵌入高性能、高可靠性的eNVM（非易失性存储器）用于代码和数据存储，对于有效服务于这一不断扩大的市场至关重要。SST基于UMC 28HPC+ AG1平台的ESF4解决方案旨在为寻求支持高容量控制器固件且需要空中下载（OTA）更新的客户提供支持。

价格和供货情况

对SST的SuperFlash技术感兴趣的客户，请访问SST网站或联系您所在区域的SST销售主管了解详情。对UMC的技术和产品感兴趣的客户，请访问UMC网站。

编辑：芯智讯-林子