
11月14日消息,存储芯片大厂三星电子相关人士表示,由于人工智能数据中心对于存储芯片的旺盛需求,本月三星电子将某些DRAM芯片(DDR5)的价格相比9月份上涨了60%。
知情人士称,作为全球最大的存储芯片制造商,三星此番涨价的决定是在10月份暂定DDR5供应合约报价之后做出的。通常这种合约报价每季公布一次。
报道指出,这些主要用于服务器的存储芯片的价格飙升,可能会给构建数据中心基础设施的大公司带来压力。三星还计划要增加其他存储产品的报价,例如用于智能手机和电脑的存储芯片。
许多大型服务器制造商和数据中心建造商“现在正在接受他们无法获得足够的存储芯片,所支付的价格溢价业是极端的。”半导体分销商 Fusion Worldwide 总裁 Tobey Gonnerman 告诉路透社。
他说,三星电子32GB DDR5 内存芯片模块的合约价格已经从9月份的 149 美元飙涨至11月份的239美元,涨幅高达60%。
此外,三星电子还将16GB DDR5和128GB DDR5芯片的价格上调了约50%,分别至135美元和1194美元。Gonnerman还表示,64GB DDR5和96GB DDR5的价格也均上涨了30%以上。
另一位收到三星简报的消息人士证实了涨价。三星电子则拒绝置评。
据行业高管和分析师称,存储芯片供不应求如此严重,以至于引发了一些客户的恐慌性购买。
中国最大的晶圆代工厂商中芯国际本周五表示,存储芯片短缺意味着客户推迟了对其产品中也使用的其他类型芯片的订单。
由于存储价格上涨,10月下旬发布的Redmi K90标准版12GB+256GB配置起售价比上一代K80上涨了200元至2599元。小米总裁卢伟冰回应称,由于内存芯片价格大幅上涨,导致手机制造成本增加,这一成本压力最终反映在了新产品的定价上。
另据“界面新闻”报道,小米、OPPO、vivo等智能手机厂商的存储芯片库存普遍低于两个月,部分厂商的DRAM库存低于3周,他们正在犹豫是否接受存储芯片原厂近50%的涨价幅度。
一位存储芯片原厂员工表示,如果智能手机厂商不接受涨价,那么原厂可能会将产能供应给同样需求旺盛且愿意支付更高价格的AI/数据中心客户。
KB Securities研究主管Jeff Kim表示,三星向人工智能芯片的转变速度较慢,这也意味着三星在DRAM领域比SK海力士、美光等竞争对手拥有更好的定价能力(没有被大客户之前签订的长期合约给锁定价格)。
TrendForce集邦咨询分析师Ellie Wang表示,三星可能会在10月至12月期间将季度合同定价提高40%至50%,高于整个行业预期的30%的平均水平。
“他们非常有信心价格会继续上涨。主要原因是现在需求非常强劲,每个人都在与供应商签订长期协议”,她补充说,这些协议要么是 2026 年,要么是 2026 年和 2027 年的总和。
除了对DRAM涨价之外,存储芯片原厂也在对NAND Flash进行涨价。此前就有报道显示,存SanDisk(闪迪)已将其11月份的NAND Flash闪存合约价格提高了惊人的50%的涨幅。
据韩国媒体《朝鲜日报》的最新报导,包括三星电子、SK海力士、铠侠、美光等全球八大NAND Flash 闪存制造商正讨论,要缩减2025年下半年的NAND Flash 闪存的供应量,以维持价格涨势。
分析人士指出,此类减产不可避免将造成供应减少,借以通过控制供应使价格上涨,此外还可加速将生产线转换到生产QLC规格的产品,以应对AI数据中心带动的强劲QLC NAND产品需求的增长。
编辑:芯智讯-浪客剑
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