三星加速导入1c DRAM设备，全力推进HBM4量产

11月4日消息，据韩国媒体DealSite报导，三星电子正加速导入10nm级 1c 制程DRAM设备，目标在明年初启动HBM4量产，努力追赶已率先与英伟达签署HBM4供应合约并进入量产阶段的SK 海力士。

业界消息指出，三星近期已在平泽园区（Pyeongtaek）完成第二厂（P2）1c DRAM 设备进场，并同步于第三厂（P3）与第四厂（P4）导入新设备，积极扩充先进1c DRAM产能。

三星预计于本月完成最终客户样品（Customer Sample，CS）的内部可靠度测试（PRA），随后将样品送交英伟达进行GPU 整合验证。若进展顺利，产品有望于明年下半年正式出货。三星内部人士透露，样品测试结束后，英伟达将展开为期约四个月的GPU 验证流程，完成最终认证后，三星有望于明年初开始分配量产订单。

三星原先在平泽第二厂（P2）与第三厂（P3）主要生产前一代DRAM 产品，但随着市场需求转向高性能与高带宽应用，公司近来逐步减产旧制程DRAM芯片，并将部分产线改造为最新的1c 制程。这项改造工程通过升级既有厂房与设备，让旧产线能生产新一代DRAM芯片。

目前，三星HBM4 的核心生产据点第四厂（P4）预定于明年启动；主晶圆厂PH1 已同时运作NAND 与1c DRAM 产线，PH3 自6 月起导入新设备，PH4 正在建设阶段，PH2 则预计在年底或明年初开工。

尽管1c DRAM开发进展稳定，但量产良率仍是三星面临的最大挑战。据业界人士透露，目前以1c 制程生产的HBM4 样品良率约为50%，尚未达到量产门槛。由于HBM4 采用多层堆叠结构，芯粒面积较前代HBM3E 更大，同一晶圆可产生的良品数量相对减少，也使良率提升速度缓慢。

三星为此同步强化后段封装流程，并与韩美半导体（Hanmi Semiconductor）展开合作，以稳定堆叠精度与整体制程品质。分析指出，若能将HBM4 晶圆良率提高至70% 以上，将具备转入量产的条件。

业界普遍认为，三星此举与英伟达明年下半年推出的新一代AI 加速器Rubin 密切呼应。考虑到SK 海力士已于9 月宣布完成HBM4 量产体系，三星的设备导入与产线改造已进入最后阶段，但能否在短期内达到稳定良率，仍需观察。

编辑：芯智讯-林子