英诺赛科起诉英飞凌专利侵权！

1月16日晚间，国产氮化镓大厂英诺赛科发布公告称，本公司及本公司之全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司（后者简称“英诺苏州”，二者统称“原告”）已向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司（以下称“被告一”）、英飞凌科技（无锡）有限公司（以下称“被告二”）及苏州芯沃科电子科技有限公司（以下称“被告三”），就202311774650.7号专利提交起诉状《（2024）苏05民初1430号》，及就202211387983.X号专利提交起诉状《（2024）苏05民初1431号》（统称“起诉状”）。

公告称，英诺苏州为202311774650.7号及202211387983.X号专利（“涉案专利”）的专利权人，英诺赛科已就涉案专利获得英诺苏州许可。涉案专利分别涉及一种氮化镓（GaN）功率器件及其制备方法，以及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。

根据起诉状，被告二是被告一的全资控股子公司，并为英飞凌中文网站的备案主体。该网站向中国的潜在客户展示、宣传及许诺销售多种型号的氮化镓（GaN）半导体器件（“涉案侵权产品”）；被告一是涉案侵权产品的进口商和总经销商；根据英飞凌中文网站，被告三是被告一、被告二于中国的增值分销商。经技术比对，原告认为涉案侵权产品落入涉案专利的保护范围，三被告未经原告允许实施了许诺销售、销售、进口涉案侵权产品的行为，构成对涉案专利的侵害，依法应当承担相应的法律责任，包括停止侵权行为及承担赔偿责任。原告为保护自身合法权益，依法向法院提出本案诉讼。

英诺赛科认为，提出上述诉讼将不会对本集团的正常业务或经营产生不利影响。本集团将继续积极寻求法律意见，并在必要时采取合适行动，以维护本集团及其股东之利益，并尽量减少对本集团的负面影响。本公司将于适当时候发布进一步的公告，以通知股东关于上述诉讼的进展情况。

编辑：芯智讯-浪客剑