1月16日消息，据韩国媒体报道，美国內存大厂美光（Micron Technology）正准备量产16层堆叠的第5代高频宽內存HBM3E，进度几乎跟SK海力士（SK Hynix）差不多。
报道称，业界消息显示，美光正在进行最后的设备评价，准备量产16层堆叠HBM3E产品。同时，美光也大幅加码对关键制程设备的投资。
韩国半导体业界人士直指，美光过去在标准型DRAM市场屈居第三，最近却凭借定制化高频宽內存（HBM）和低功耗次世代內存接连成功获得进展，韩国半导体企业必须提高警觉。
据传，英伟达下一代AI芯片将搭载16层堆叠的HBM3E，美光、SK海力士的量产准备进度相近，这也意味着他们有望获得英伟达下一代AI芯片所需的HBM3E订单。
编辑：芯智讯-林子
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