德州仪器内部氮化镓功率半导体产能提升4倍！

2024年10月24日，美国芯片大厂德州仪器 (TI) 宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的产能提升，加上其位于德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造工厂产能，德州仪器现在已经将内部生产的基于 GaN 的功率半导体产能提升了4倍以上。

△德州仪器员工正在检查成品 GaN 芯片。GaN 芯片可实现节能、可靠且功率密集的最终产品。

德州仪器技术和制造高级副总裁Mohammad Yunus表示：“凭借十多年的 GaN 芯片设计和制造专业知识，我们已成功认证了 200mm（8英寸）GaN 技术，这是当今制造 GaN 最具可扩展性和成本竞争力的方式，并开始在日本会津进行大规模生产。这一里程碑使我们能够在内部制造更多 GaN 芯片，到 2030 年，我们的内部制造率将增长到 95% 以上，同时还可以从多个德州仪器工厂采购，确保我们整个 GaN 高功率、节能半导体产品组合的可靠供应。”

GaN 是一种半导体材料，可替代硅，具有节能、更高的开关速度、更小的电源解决方案尺寸和重量、更低的整体系统成本，以及高温高压条件下的性能优势。GaN 芯片可提供更高的功率密度，或在更小的空间内提供功率，从而实现笔记本电脑和手机的电源适配器等应用，或用于供暖和空调系统和家用电器的更小、更节能的电机。

如今，德州仪器提供最广泛的基于 GaN 的集成功率半导体产品组合，从低压到高压，以实现最节能、最可靠和功率密度最高的电子产品。

德州仪器高压电源副总裁Kannan Soundarapandian表示：“借助 GaN，德州仪器可以在紧凑空间内更高效地提供更多功率，而这正是推动我们许多客户创新的主要市场需求。随着服务器电源、太阳能发电和 AC/DC 适配器等系统的设计人员面临降低功耗和提高能效的挑战，他们越来越需要可靠地供应德州仪器高性能 GaN 芯片。德州仪器的集成 GaN 功率级产品组合使客户能够实现更高的功率密度、更好的易用性和更低的系统成本。”

此外，凭借德州仪器专有的硅基 GaN 工艺、超过 8000 万小时的可靠性测试以及集成的保护功能，德州仪器GaN 芯片旨在确保高压系统的安全。

德州仪器表示，其采用的是当今用于 GaN 芯片制造的最先进的设备，使得德州仪器的新产能可以提高产品性能和制造工艺效率，并具有成本优势。

此外，德州仪器扩展的 GaN 制造中使用的更先进、更高效的工具可以生产更小的芯片，从而实现更高的功率。这种设计创新可以使用更少的水、能源和原材料来制造，而使用 GaN 芯片的最终产品也可以享受同样的环境效益。

德州仪器增加的GaN制造性能优势还使该公司能够将其GaN芯片扩展到更高的电压，从 900V 开始并随着时间的推移增加到更高的电压，从而进一步提高机器人、可再生能源和服务器电源等应用的功率效率和尺寸创新。

德州仪器扩大的投资还包括今年早些时候在 300 毫米（12英寸）晶圆上成功开发 GaN 制造工艺的试点。此外，德州仪器 扩大的 GaN 制造工艺完全可转移到 300 毫米技术，使公司能够随时根据客户需求进行扩展，并在未来转向 300 毫米。

德州仪器还承诺到 2027 年在美国运营中使用 100% 可再生电力，到 2030 年在全球范围内使用 100% 可再生电力。

编辑：芯智讯-林子