三星宣布量产1Tb QLC第九代V-NAND

继今年4月量产业界首个基于TLC的第 9 代 V-NAND之后，三星电子于9月12日正式宣布，其已经开始批量生产首个 1Tb QLC 第 9 代 V-NAND，将进一步巩固其在高容量、高性能 NAND 闪存市场的领导地位。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术主管 SungHoi Hur 表示：“在 TLC 版本发布仅四个月后，QLC 第 9 代 V-NAND 就开始成功量产，使我们能够提供满足 AI 时代需求的全系列高级 SSD 解决方案。“随着企业级 SSD 市场快速增长，对 AI 应用的需求更强劲，我们将继续通过我们的 QLC 和 TLC 第 9 代 V-NAND 巩固我们在该领域的领导地位。”

三星计划扩展 QLC 第 9 代 V-NAND 的应用，从品牌消费产品开始，扩展到移动通用闪存 （UFS）、PC 和服务器 SSD，供包括云服务提供商在内的客户使用。

三星的第 9 代 QLC V-NAND 汇集了许多创新，这些创新带来了技术突破：

三星无与伦比的通道孔蚀刻技术被用于实现业内最高的层数，具有双堆栈结构。利用从 TLC 第 9 代 V-NAND 中获得的技术专长，优化了单元和外围电路的面积 ，实现了比上一代 QLC V-NAND 高约 86% 的行业领先位密度。

Designed Mold 技术调整操作单元的字线 （WL） 的间距，以确保层间和层内单元特性的均匀性和优化。 随着 V-NAND 层数的增加，这些特性变得越来越重要。与以前的版本相比，采用 Designed Mold 将数据保留性能提高了约 20%，从而提高了产品的可靠性

Predictive Program 技术可预测并控制细胞状态变化，以最大限度地减少不必要的操作。三星第 9 代 V-NAND QLC 通过这项技术的进步，写入性能提高了一倍，数据输入/输出速度提高了 60%。

使用低功耗设计，数据读取和写入功耗分别降低了约 30% 和 50%这种方法降低了驱动 NAND 单元的电压，并通过仅感应必要的位线 （BL） 来最大限度地降低功耗。

编辑：芯智讯-林子