3月25日，意法半导体（简称“ST”）发布了一项基于18纳米全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术并整合嵌入式相变存储器（ePCM）的先进制造工艺，支持下一代嵌入式处理器升级进化。

据介绍，这项新工艺技术是意法半导体和三星晶圆代工厂共同开发，使嵌入式处理应用的性能和功耗实现巨大飞跃，同时可以集成容量更大的存储器和更多的模拟和数字外设。基于新技术的下一代STM32微控制器（MCU）的首款产品将于 2024下半年开始向部分客户提供样片，2025年下半年排产。

意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁Remi El-Ouazzane表示：“作为处于半导体行业前沿的创新企业，意法半导体率先为客户带来汽车级和航天级FD-SOI和PCM技术。我们的下一步行动是，从下一代STM32微控制器开始，让工业应用开发者也能享受到这两项先进技术带来的诸多好处。”

技术优势

与目前在用的ST 40nm嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术相比，集成 ePCM的18nm FD-SOI制造工艺极大地提高了关键的品质因数：

✦ 性能功耗比提高50%以上

✦ 非易失性存储器（NVM）密度是现有技术的2.5倍，可以在片上集成容量更大的存储器

✦ 数字电路密度是现有技术的三倍，可以集成人工智能、图形加速器等数字外设，以及最先进的安全保护功能

✦ 噪声系数改善3dB，增强了无线MCU的射频性能

该技术的工作电源电压是3V，可以给电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能供电，是20纳米以下唯一支持此功能的半导体工艺技术。

该技术的耐高温工作、辐射硬化和数据保存期限已经过汽车市场的检验，能够满足工业应用对可靠性的严格要求。

编辑：芯智讯-林子