
10月21日消息,在日前的三季度法说会上,台积电表示,其2nm制程有望在2025年量产,具体将会在新竹宝山与高雄2座晶圆厂同步进行。外界预估,台积电2nm晶圆代工的价格将进一步上升至2.5万美元。
据了解,台积电的2nm制程工艺将放弃传统的FinFET晶体管工艺,转向GAA全环绕栅极晶体管架构(台积电的版本命名为Nanosheet),相较于N3E工艺同功耗下性能提升10-15%,同性能下功耗下降25-30%,但晶体管密度提升仅10-20%。
另外,作为2nm制程技术平台的一部分,台积电也在研发背面供电(backside power rail)解决方案,该设计最适于高性能计算相关应用。而根据台积电的规划,目标是在2025年下半年推出背面供电技术供客户采用,并于2026年量产。随着台积电持续强化的策略,2nm及其衍生技术将进一步扩大台积电的技术领先优势。
至于价格方面,2nm制程的晶圆代工报价可能将会由3nm的2万美元/片,进一步上涨至2.5万美元/片。
编辑:芯智讯-林子
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