为应对算力基础设施等需求，闻泰科技接连推出创新功率器件产品

4月20日消息，相关机构指出，以ChatGPT为代表的AI大模型应用普及将推动算力需求快速增长，服务器产业链是其中重要的受益环节之一，服务器产业链上游AI芯片、电源相关芯片/器件等半导体厂商也迎来了发展新动能，闻泰科技旗下安世半导体近期受到市场重点关注。

日前，有投资者在互动平台向闻泰科技问及安世半导体在算力基础设施数据中心领域的产品布局与产品优势。

对此，闻泰科技回应表示，公司子公司安世半导体是全球领先的功率半导体企业，每年可交付1000多亿件产品，产品符合汽车和工业行业的严苛标准，其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。为应对大规模算力基础设施、光伏发电和汽车充电设备快速增长的需求，安世半导体最近已接连发布650V碳化硅二极管、首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET、80 V ASFET产品PSMN1R9-80SSE等创新产品，这些产品的线性模式性能对于高效可靠地管理浪涌电流必不可少，更能满足超高性能、低损耗和高效率的功率半导体需求。此外，安世半导体的GaN FET器件也适用于服务器电源等应用场景，如第二代650 V功率GaN FET器件特别适用于必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。

根据官网，上个月安世半导体推出了首批采用SMD铜夹片LFPAK88封装的80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)。据介绍，该系列产品具有增强安全工作区(SOA)的特性，针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。其中，100 V产品PSMN2R3-100SSE在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低RDS(on)和强大线性模式（安全工作区）性能，可满足严苛的热插拔应用要求；80 V产品PSMN1R9-80SSE，旨在响应计算服务器和其他工业应用中使用48V电源轨的增长趋势。

日前，安世半导体又宣布推出 650 V 碳化硅肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。官方介绍称，其10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。例如，相比仅使用硅基解决方案的数据中心，配备采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。

此外，安世半导体的氮化镓（GaN）器件也可以满足服务器的高能效要求。官方资料显示，安世半导体第二代650 V功率GaN FET器件系列早于2021年批量供货。官网介绍称，该系列产品具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。

近日有媒体报道指出，作为服务器产业链上游供应商，安世半导体将深度受益于全球服务器市场持续增长，在该领域迎来良好的发展机遇与巨大的发展空间，而闻泰科技也有望在服务器领域迎来“整机+芯片”的双重机遇。

东财电子研报表示，闻泰依托安世半导体的战略协同，从底层功率芯片维度提供更高水平的绿色节能服务器，在整体缺货的机遇期，有望成为闻泰服务器业务突破的秘密武器。