三星电子正在开发8英寸SiC功率半导体，已投资1000～2000亿韩元

3月30日消息，据韩国媒体THELEC报导，三星电子正在推进设备投资，以开发8英寸SiC/GaN工艺，目前已经投资了1000 亿至 2000 亿韩元（约合人民币5.3亿至10.6亿元）。

报道称，三星电子在今年年初成立了“功率半导体”任务小组（TF），进军 SiC/GaN 功率半导体市场。据了解，除了三星电子DS事业部内的主要事业部外，LED事业部和三星高等技术研究院也参与了“功率半导体”任务小组，具体目标就是开发8英寸SiC GaN工艺。

一位韩国的知情人士表示，“我了解到三星电子决定推动一项计划，将用于 SiC 和 GaN 开发的 LED 工艺中使用的部分 8 英寸设备混合使用，以提高开发效率。”

值得注意的是，与GaN已经普及8英寸晶圆不同，SiC目前仍以4英寸和6英寸晶圆为主，8英寸晶圆还没有达到商业化。最早2024-2025年，Wolfspeed、Twosix、SK Siltron等大厂正式定下8英寸SiC晶圆量产的目标。

因此，业界认为，考虑到进入实际SiC市场的时机，三星电子正在尝试从8英寸而不是6英寸开始开发工艺。在类似的背景下，DB HiTek 计划使用 6 英寸进行 SiC 工艺的初步开发，并从 8 英寸开始进行实际的功率半导体量产。

目前，三星电子正在投资 8 英寸工艺设施，用于 SiC/GaN 开发，迄今为止的投资额已经超过1000亿至2000亿韩元。据估计，该投资规模足以实现原型的量产，而不仅仅是简单的开发。

报道称，三星电子内部对下一代功率半导体业务抱有相当大的热情。一位业内人士暗示说：随着三星DS 部门总裁Kyung-hyeon直接负责，功率半导体业务正在蓄势待发。

三星电子表示，（SiC功率半导体）相关业务仍处于研究阶段，尚未决定是否将其具体商业化。

编辑：芯智讯-林子