建厂成本暴涨，三星美国晶圆厂投资额将高达250亿美元

3月16日消息，据路透社报道，两位知情人士透露，韩国三星电子正在美国德克萨斯州泰勒建造的芯片工厂的投资额将达到250亿美元，这将比原先计划的170亿美元高出80亿美元。

知情人士说，成本的增加主要是由于通货膨胀，由于信息不公开，因此拒绝透露姓名。

其中一位消息人士表示，“较高的建筑成本约占成本增加的80%”，“这些材料变得更加昂贵”。

两位消息人士都表示，三星已经花费了最初预计用于泰勒工厂的170亿美元中的一半，并指出该公司最终可能会选择建造更多的工厂。

三星没有立即回应置评请求。

去年拥有高达520亿美元补贴的美国《芯片与科学法案》已经正式施行，目前面向芯片制造商总额达370亿美的补贴申请也已经正式开放，芯片制造商们可以申请数十亿美元的补贴。

不过，美国商务部官员本月初也表示，大多数政府拨款只能支付新工厂成本的15%。在通货膨胀压力之下，芯片制造商不断增加的新厂建设成本以及劳动力成本也引发了人们对这些补贴将能够走多远的疑问。

比如，台积电原本计划投资120亿美元在美国亚利桑那州建一座5nm晶圆厂，虽然去年已宣布升级为4nm，并增加了建设一座3nm晶圆厂的计划，但是总体的投资额已经暴涨至400亿美元。英特尔去年宣布在德国建厂，最初预估德国建厂将花费170 亿欧元，但现在预计将花费300亿欧元。足见欧美通货膨胀之严重。

更为关键的是，美国对于芯片法案补贴的申请者提出了诸多的附加条款，比如要求分享超额利润，还要有员工和建筑劳工的儿童托育计划。

一位消息人士告诉路透社，三星正急于在2024年之前完成该工厂，以便在2025年之前生产芯片，这将使该公司在2026年的最后期限之前获得工厂工具的投资税收抵免。

不过，据韩国媒体报道，三星对美国《芯片与科学法案》的补贴的附加条件表示保留，因为该法案可能会降低其在美国建厂的利润。

编辑：芯智讯-林子