英特尔代工客户已达43家,Intel 18A/20A已成功流片

3月7日消息,据外媒报道,英特尔相关人士透露,目前英特尔的埃米级工艺节点Intel 20A和Intel 18A已成功流片,也就是有相关设计定案,即规格、材料、性能目标等均已基本达成。此外,英特尔的代工服务(IFS)目前已经有43家潜在合作伙伴正测试芯片,其中至少7家来自全球TOP10的芯片客户。

2021年,英特尔CEO帕特·基辛格公布了IDM 2.0战略之后,英特尔开始全力推进先进制程技术和代工业务的发展。按照英特尔的路线图,提出了4年量产5个制程节点的计划,致力于在2025年重新取得制程技术的领先地位。目前Intel 7已实现大规模量产,并用于客户端和服务器端;Intel 4已经准备就绪,为投产做好准备,预计2023年下半年基于Intel 4的Meteor Lake将量产;Intel 3正按计划推进中;和Intel 18A将于2024年上半年量产,Intel 20A将于2024年下半年量产,预计相关产品将会在2025年推出,届时英特尔将重新取得制程技术的领先地位。

Intel 18A/20A工艺流片了!潜在代工客户达43家

Intel 18A/20A工艺流片了!潜在代工客户达43家

Intel 20A的领先主要得益于英特尔全新的RibbonFET晶体管结构(类似GAA,该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小)和Power VIA电源传输系统(业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输)等技术,以及率先使用High-NA EUV光刻机。

在封装技术上,英特尔的2.5D封装技术EMIB已应用于量产产品,同时不断推动3D封装技术,以进一步增加单个设备的晶体管数量。从英特尔公布的封装技术路线图来看,目前EMIB封装技术的裸片间距可以做到55μm,而3D Foveros封装技术的裸片间距可以做到50μm,而在未来,英特尔希望将EMIB封装技术的裸片间距缩小到30μm-45μm,3D Foveros封装技术的裸片间距进一步降低到20μm-35μm(有焊料)或小于20μm(无焊料)。

代工业务方面,据悉目前全球需要晶圆代工的十家最大客户中,有7家正与英特尔积极探索合作。比如,在2022年7月,英特尔和联发科宣布建立战略合作伙伴关系,未来联发科将利用英特尔代工服务 (IFS) 的16nm制程(Intel 16)工艺制造芯片。需要指出的是,英特尔未来最先进的Intel 3以及Intel 20A/18A也都将会对外开放。

编辑:芯智讯-林子

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