传中芯国际与长江存储等将调整制程工艺，以符合美国出口管制新规

11月23日消息，据外媒报导，自今年10月7日，美国政府宣布对华半导体产业实施新的出口管制后，全球半导体产业股票市值损失了约2400 亿美元，而美国的NVIDIA、应用材料、泛林集团等半导体大厂预计2023年将因此损失数十亿美元，据半导体设备供应商应用材料消息，受美国制裁的中国大陆晶圆厂有望借助调整制程技术，以规避美国政府的出口管制新规。

据美国最新的出口管制规定，限制向中国大陆出口生产制造14 / 16nm以下节点非平面晶体管逻辑芯片、128 层以上3D NAND、18nm制程以下DRAM芯片所需的美国半导体设备和技术。除非相关供应商获得美国商务部的出口许可证。因此，这也直接影响了中国大陆包括中芯国际、长江存储在内的多家晶圆厂的生产计划。

不过，据应用材料财务长Brice Hill爆料称，一些客户可能会改变计划或技术，以避免美国新的出口管制规定的限制。

应用材料强调，部分客户可能调整制程以避免与新规定牴触。虽然应用材料没有明说是哪些客户，但市场推测中芯国际可能会采17 奈米制程，长江存储可能减少3D NAND Flash的堆叠层数以符合美国新规。应用材料也试图与客户厘清状况，若确定其技术符合规定，应用材料就可申请许可或取得出口授权。但客户也可能自己改变计划或技术，以避免触及美国政府新规限定的门槛。

报道称，中芯国际制程由14nm改为17nm，需改变现有设计，以在更成熟的节点达到特定性能和功率。较低晶体管密度代表较大的芯片尺寸，都会影响成本、产量，甚至封装尺寸。不过，关于中芯国际会采用17奈米节点说法目前都只是推测。

对3D NAND Flash闪存厂商长江存储来说，事情也异常复杂。128 层3D NAND Flash 生产设备对应非常特定3D TLC 或3D QLC 闪存容量，减少NAND Flash堆叠层数将影响设备成本。虽然3D NAND Flash 制造商堆叠层数和容量有一定自由度，但产品关系SSD 控制芯片开发人员认证。采不同生产设备需要漫长认证开发过程。虽然部分生产技术可调整，但中芯国际和长江存储都不想放弃价值数十亿美元设备，因为其成本高昂，且生产技术也非一蹴而就。

此前应用材料也表示，已采取所有必要行动遵循出口新规、包括依法暂停出货并停止提供支持，同时也努力在符合美国政府新规前提下取得许可。应用材料预估，新规对2023会计年度的整体影响可能高达25亿美元、实际影响可以降低至15-20亿美元，部分将取决于美国政府批准许可的速度以及受影响企业如何重新调整投资重点。

编辑：芯智讯-林子