三星3nm GAA制程良率仅20%，急找美国厂商合作解决

11月22日消息，据外媒报导，韩国三星虽然抢先台积电量产了3nm GAA（Gate-all-around，环绕栅极）芯片，但不代表进展顺利。最新的爆料称，三星3nm GAA制程的良率非常糟，仅为20%，为了解决这困境，三星计划通过与美国公司合作提高良率。

今年6月30日，三星电子正式对外宣布，其已开始大规模生产基于3nm GAA制程工艺技术的芯片，这也使得三星抢先台积电成为了全球首家量产3nm的晶圆代工企业。

但是，三星在此前5nm、4nm时就遭遇了良率问题，使得高通之后不得不将骁龙8＋ Gen1交给了台积电4nm代工。因此，三星3nm GAA制程在抢先台积电量产之后，其良率也备受外界关注。

报道称，三星将与美国Silicon Frontline Technology公司合作，以提高3nm GAA 良率。为何Silicon Frontline Technology 是理想的合作伙伴呢？因为三星希望借水质和静电放电预防技术降低生产过程缺点，提高晶圆良率。而静电放电是晶圆生产过程产生问题重要原因，这可以解释三星3nm GAA 良率过低的理由。

到目前为止，三星虽号称通过整合合作伙伴技术取得积极成果，但实际还需观察几个月。如果三星3nm GAA 制程低良率问题无法解决，客户可能将不愿再下订单，进而转向等待台积电的3nm工艺。

编辑：芯智讯-林子