联电发力8吋第三代半导体代工

5月9日消息，目前联电晶成熟制程产能持续满载，布局第三代半导体步伐也在加速。据台湾媒体报道称，近期联电大举购置新机台，抢进难度更高、经济效益更好的8吋晶圆第三代半导体制造领域，预计下半年相关设备将会进入厂区，使得联电跻身业界领先的第三代半导体代工服务商，为后续获利增添动能。

报道称，联电前资深副总经理徐建华退休后，转战汉磊投控，出任汉磊投控旗下汉磊与嘉晶两家公司董座，并成功带领汉磊与嘉晶量产第三代半导体产品，联电此刻发展第三代半导体火力全开，进军难度更高的8吋领域，凸显集团能量丰沛。

联电先前第三代半导体布局，主要透过转投资联颖切入，锁定6吋氮化镓产品，主要考量目前业界氮化镓整体解决方案提供者较少，联颖正在进行技术平台建置，完成后会把平台开放给设计公司客户使用，扩大接单利基。

供应链则透露，联电近期扩大第三代半导体布局，自行购置蚀刻、薄膜新机台，预计下半年将进驻8吋AB厂，瞄准8吋晶圆生产第三代半导体的经济效益优于6吋晶圆的方向，全力抢第三代半导体商机。

联电财务长刘启东对此回应，集团在第三代半导体的发展上，仍以联颖为主，联电则进行研发，不过确实有在合作，但细节不便透露。

业界分析，第三代半导体薄膜厚度比一般晶圆代工还厚，很容易导致晶圆弯曲，考量制程难度，目前业界发展第三代半导体多以6吋为主。

不过，6吋晶圆半径是5公分，8吋晶圆半径则是10公分，所以8吋相对6吋，一片可以产出的晶片量会“多出很多”，在经济效益较高的前提下，联电也开始切入8吋第三代半导体领域。

随着5G、电动车等新应用百花齐放，对高频、高速运算、高速充电需求大增，传统以硅及砷化镓为材料的第一代与第二代半导体在温度、频率、功率等已达极限，无法用于严苛环境，加上全球开始重视碳排放问题，具备高能效、低能耗的第三代半导体成为市场当红炸子鸡，也为联电开启新的获利方程式。

联电今年首季表现亮眼，单季毛利率更是季增4.3个百分点、突破四成大关，来到43.4%，并预期本季持续向上，显现联电持续开发特殊制程的效益显现，伴随跨大步推进第三代半导体版图，联电营运后市可期。

编辑：芯智讯-林子  来源：经济日报