长鑫存储将在今年二季度试产17nm DRR5芯片

3月22日消息，据台湾媒体报道，国产DRAM芯片厂商合肥长鑫存储将在今年二季度试产17nm工艺的DDR5内存芯片，并寻求扩大产能。

报道称，目前合肥长鑫的17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%，预计在今年二季度试产，出样片给到客户。虽然目前40%的良率较低，不过长鑫存储将会在接下来的时间里持续改进良率。

根据此前长鑫存储公布的路线图也显示，长鑫存储目前正计划推出17nm DDR5/LPDDR5，后续还将推出10nm制程的产品。

此外，在产能方面，此前长鑫存储在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的产能目标。2022年的产能目标是12万片晶圆/月，未来的产能目标是30万片晶圆/月。

根据TrendForce预测，2021年底全球内存产能将达到150万晶圆/月，三星产能超过55.5万晶圆/月，SK海力士是36万片晶圆/月，美光也有35.5万晶圆/月。显然，目前长鑫存储在DRAM芯片产能上与一线的大厂仍有非常大的差距。

此外，在技术水平上，三星已经量产了14nm EUV工艺的LPDDR5内存，长鑫存储的17nm工艺DDR5/LPDDR5内存芯片与其还有一两代的技术差距，不过这并不算什么大问题，国产内存的主要目标依然是提高良率，加快产能提升。

资料显示，长鑫存储作为一体化存储器制造商，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产，2018年研发国内首个8Gb DDR4芯片，2019年三季度成功量产19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片，目前已经获得了威刚科技、江波龙FORESEE等众多存储品牌厂商的采用。

编辑：芯智讯-浪客剑